Ми аз меря PTC-та с микроампери в универсалния контролер за поялници. И си ги мери съвсем добре. Източника на ток и превключването на режима му (x1/x16) са с P-MOSFET-и от въпросната серия. Като го надухам добре с духалката някакви изменение има, ама говорим за температури при които трудно се пипа, тоест нещо като 70-80 градуса. До към 40-45 сериозни отклонения няма. На 3.3V е цялата хава, а входа на операционниците ми е на 120mV максимум. И това без обратно напрежение на гейта.

Въпроса е колко е съпротивленито на транзистора спрямо това което мериш, ако едното е 0.05 ом а другото е 1 к то и 10 пъти да се измени това на преходс грешката е малка.

Именно, меря 600..1000ома, като целта е грешката от меренето в двете посоки да е макс 0.1%. Целта ми е да съм сигурен че мога да хвана разлики в двете посоки от порядъка на 0.5%, т.е. половин-един ом. Това трябва да стане с достатъчен запас, т.е. измерването ми трябва да ми гарантира порядък по-добра резолюция и точност. Самият сензор е температурно зависим и дрейфа му ми внася също грешка, която ми изяда от очаквания полезен сигнал. Което значи 0.1ом примерно общо сумарно грешки по веригата, или в напрежение 0.1mV. Като сложим че имам контакти на измервателните сонди, внесен шум от електромагнитни източници и подобни, бих приел че 50мОм грешки са приемливи (т.е. до 50мОм разлика в Rdson на двата мосфет-а).
Само че тук правилно отбелязахте че и утечката дрейн-сорс на изключения транзистор е още един източник на несиметрия.
Така че се опитвам числено да предвидя колко грешка ще ми донесат тези части от веригата и дали имам начин да ги компенсирам (софтуерно или хардуерно). 1мкА утечка при 1мА ток на мерене дава точно 0.1%. Т.е. съвсем значеща част от уравнението е.
Няма да се размине без експерименти, но това е странична задача и не мога да и отделя много време. Не че за времето дето загубих на толкова хора тук нямаше да го измеря всичкото с всички възможни транзистори от комет-а...

Ммм дай сега пак с процентите, 0.1% е 1 Ом, 0.5% са 5 Ом, разликата не е малка. Този трназистор е 0.035 по спецификация, температурата наистина доста може да му повлияе, но всъщност основен факт е че тя влияе и при двете мерения доколкото ти разбрах постановката, така че и 100% да мърда не е фатално дотолкова доколкото ти търсиш ралзика в двете мерения а не абсолютна стойност.

В тозислучай дали ще измериш 1000 или 1500 е все там защото тя температурата му няма да се промени с 20 градуса в рамките между двете мерения.

Да де, дори и 10 ома да е транзистора не пречи понеже меря диференциално върху изводите на сензора, т.е. и половин волт да падне дрейн-сорс няма да е проблем, стига да не попречи на генератора на ток да си прокара тока.
Основната грижа е несиметрията между утечките на двата мосфет-а - те ми отнемат от програмирания 1мА ток и го правят 999мкА при 25 градуса, или 980мкА при 70 градуса. Ако и двата транзистора се държат еднакво не ми пречи че меря при 980мкА, стига да знам че и в двете посоки са 980, а не в едната 990, в другата 980. Това няма как лесно да го измеря и проверя (имам предвид автоматично като самодиагностика на стенда).
От тия двете условия излиза че по-добре да направя компромис с Rdson и да търся транзистори с много ниска утечка, пък били те и 10 ома. Само че досега не видях прибор дето да е под 1мкА при 25 градуса. Остава предложеното от Спарки отрицателно за запушване, ще проверя какво се получава и ще знам дали помага.

Edit: гледам BSS138 - при 100V му дават вездесъщите 1мкА, които стават 60мкА при 125 градуса, но интересното е че допълнително е дадена утечката при 20V @25градуса - 10наноампера! Което ме навежда на мисълта че има силно нелинейна характеристика и тоя 1мкА е начало на пробива

Това 1мкА е за граничното напрежение и със запас дадено. Със сигурност са много по-малки утечките. Освен това и утечките се подчиняват на закономерности , а не са случайни, даже и не зависят толкова от производителите. Ако са от една партида ще са близки.
Защо да не може на стенда - слагаш един по-голям резистор вместо датчика и мериш разликата . 1мкА на 4ком е 4мВ.

Една идея за справяне с утечките.
Имаше схемичка по апликеишън нотовете на дъртите операционни усилватели с биполярни транзистори на входа си - как да им се компенсира базовия входен биас ток с добавянето на външен транзистор.

Може да се приложи подобна идея и тук - с добавяне на същия транзистор към захранване (т.е. над въпросния ключов който е към маса). Идеята е утечките им да се компенсират взаимно.
Т.е. добре ще е да са "еднакви" и да са захранени в обратна посока с подобни напрежения.

Имах предвид че за да меря утечката ще трябва към измервателните изводи да закачам еталонен резистор, което не може да стане заради технологичния процес.
А и наистина както писах, изглежда че ако съм далеко от максималното напрежение дрейн-сорс утечките са в порядъците на 10-ки наноампери, което е незначително, още повече че на мен би ми пречила само разлика между утечките на двата транзистора.
Ще експериментирам с няколко транзистора, ще пробвам по-малкомощни, ще пробвам и по-високоволтови.