|
Виж темите без отговор | Виж активните теми
Дата и час: Съб Авг 22, 2026 2:53 am
Гейтово съпротивление vs мас ток на IGBT
| Автор |
Съобщение |
|
ike
Ранг: Форумен бог
Регистриран на: Пет Фев 04, 2005 9:59 pm Мнения: 6019 Местоположение: София
|
 Re: Гейтово съпротивление vs мас ток на IGBT
Със сребърни релета е по-хакерско.
_________________ Warriors of the Night, ASSEMBLER!!!
|
| Чет Сеп 04, 2014 7:27 pm |
|
 |
|
ДедоБоре
Ранг: Форумен бог
Регистриран на: Нед Ное 21, 2004 11:31 pm Мнения: 10103
|
 Re: Гейтово съпротивление vs мас ток на IGBT
в трети курс имах проект на струг (от-до) но никй не ме е карал да му правя зъбните колела от дърво. а в четвърти проекта беше на ГАПС на доста шантав детайл с 25 обработки. водеше ми го един ст.н.с. от ЗММ, после ми стана научен ръководител и на дипломната работа. 91-ва щипна за Канада и му загубих дирите а със живачни ще е хай-тек, като за аудиофили 
|
| Чет Сеп 04, 2014 7:33 pm |
|
 |
|
stoyanoff
Ранг: Форумен бог
Регистриран на: Чет Юни 25, 2009 1:01 pm Мнения: 2251
|
 Re: Гейтово съпротивление vs мас ток на IGBT
Искам да попитам още нещо! Как да определя колко е подходящото отрицателно напрежение за запушване на даден транзистор?! До колкото ми е известно първо слизаме от Vcc до 0 за определено време, което зависи от гейтовото съпротивление и заряда. Обаче колко надолу трябва да се слезе, за да се запуши?! Сега тук нз дали е валидна същата логика, но предполагам, че стойността на отрицателното напрежение влияе на времето, за което се достига пълно запушване. И може ли да го изгоря ако подам прекалено висока отрицателна стойност?!
_________________www.elkran.com
|
| Пон Сеп 29, 2014 9:56 pm |
|
 |
|
Cekins
Ранг: Форумен бог
Регистриран на: Сря Апр 20, 2005 12:02 pm Мнения: 9123 Местоположение: Разград
|
 Re: Гейтово съпротивление vs мас ток на IGBT
Ми пробай - ко пък - един два транзистора кога не сме ги изгорили...
|
| Пон Сеп 29, 2014 10:05 pm |
|
 |
|
stoyanoff
Ранг: Форумен бог
Регистриран на: Чет Юни 25, 2009 1:01 pm Мнения: 2251
|
 Re: Гейтово съпротивление vs мас ток на IGBT
То това е едно на ръка. А има ли отношение към времето на запушване?! Това, което съм изнамерил до сега из разни datasheet, винаги смятат времето за запушване от Vcc до 0, както и тока през драйвера. После какво става?! Защото реално входния капацитет започва да се зарежда на обратно. И кога точно се запушва? Това зареждане в обратната посока реално добавя още време към това за запушване и ако отрицателното е много по-малко от положителното (пр: +15 до -5), то в отрицателна посока процеса ще протича 3 пъти по-бавно. И ако имаме 1us от 15 до 0, може ли да се стигне до положение реалното време за запушване да стане 4us?! А дори да са равни пак от 1us да станат 2. Значи ли това, че винаги трябва да си имам едно на уми да умножавам времената по 2-3 за по сигурно? Разбирам, че зависи от характеристиките на транзистора, ама всеки път проба-грешка не ме кефи...
_________________www.elkran.com
|
| Пон Сеп 29, 2014 10:21 pm |
|
 |
|
nik
Ранг: Форумен бог
Регистриран на: Сря Мар 22, 2006 3:25 am Мнения: 6427
|
 Re: Гейтово съпротивление vs мас ток на IGBT
запушва се когато заряда на гейта падне под определено напрежение, на всеки транзистор си му дават това напрежение ако го запушваш с 0 волта, колкото повече пада напрежението толкова намаля тока през гейтовия резистор и ако в началото напрежението пада бързо, после тока намаля и процеса се забавя ако го запушваш с -5 волта имаш по голяма потенциална разлика и тока по дълго време е голям така гейта по бързо достига прага на запушване
|
| Пон Сеп 29, 2014 11:55 pm |
|
 |
|
stoyanoff
Ранг: Форумен бог
Регистриран на: Чет Юни 25, 2009 1:01 pm Мнения: 2251
|
 Re: Гейтово съпротивление vs мас ток на IGBT
Гледам, че по datasheet-ите дават стойност за Vges(примерно от +20 до -20)! Това мога ли да го използвам като работна стойност или е максимална?! Питам за тези работи, защото когато се увеличат токовете, се увеличават смущенията и започват да се включват защити и да горят модули. Това, което изнамерих като информация е, че за да се намали ефекта на такива смущение, се използва по-високо отрицателно напрежение. Така се раздалечава границата на отпушване. Аз малко се по-напъвам тука да докарам едни киловати ама явно ще трябва да вдигам напреженията. Поздрави!
_________________www.elkran.com
|
| Вто Сеп 30, 2014 3:57 pm |
|
 |
|
sparkybg
Ранг: Форумен бог
Регистриран на: Вто Авг 23, 2005 12:02 pm Мнения: 3070 Местоположение: София
|
 Re: Гейтово съпротивление vs мас ток на IGBT
Максимална е. "стандартно" за повечето е +/-12, +/-15, Или примерно нещо като +10/-5 и от сорта. Това освен ако не са с нисковолтов гейт. На нормален MOSFET/IGBT гейта обикновено е до +/-25 или +/-30. На тия с нисковолтов е нещо като +/-12, +/-15 или от сорта. Като има ценери на входа, те обикновено са 15 волтови. Да клатиш обикновен MOSFET/IGBT с повече от +/- 15 особен смисъл няма, или поне аз не виждам такъв. То и отрицателното -15 в общия случай е вторичен ефект от драйверния траф. С повече от -10 също обикновено няма сми, а даже често и с повече от -5 няма сми.
|
| Вто Сеп 30, 2014 4:05 pm |
|
 |
|
stoyanoff
Ранг: Форумен бог
Регистриран на: Чет Юни 25, 2009 1:01 pm Мнения: 2251
|
 Re: Гейтово съпротивление vs мас ток на IGBT
Ами нз. Аз карам на +15/-5 обаче като вдигнах амперите, при положение, че даже корпуса на модула е същия(нищо не съм променял), ми се включват защити от късо и още по-лошо горят транзистори. А това може да стане ако големия ток успее да повдигне напрежението и да отпуши транзистора! Тогава защитата става безполезна! Няма как да започна да меря на всички транзистори, защото са 6, а и като видя резултата ме е страх, че ще е късно(тия модули не са без пари!)! И нещата се случват на random! Може аз да съм се насочил в грешна посока, ама за всеки случай ще повдигна напрежението до +/-15. Друг е въпроса, че за да стане така, трябва на 2 транзистора да им се повдигне напрежението!
_________________www.elkran.com
|
| Вто Сеп 30, 2014 4:40 pm |
|
 |
|
nik
Ранг: Форумен бог
Регистриран на: Сря Мар 22, 2006 3:25 am Мнения: 6427
|
 Re: Гейтово съпротивление vs мас ток на IGBT
ами повдига... има няколко паразитни ефекта при работа на мосфет и игбт които успяват да отпушат транзистора когато по всички признаци би трябвало да е запушен наблегни на : ***индуктивността на сорса/емитера - 2см права жица я брой за индуктивност ***капацитета между гейт и дрейн/колектор - при резки преходи на 400в в изхода успява да прехвърли достатъчно към гейта за отпушване на транзистора снубери в изхода кондензатори на захранването възможно най близо до моста
|
| Вто Сеп 30, 2014 6:02 pm |
|
 |
|
stoyanoff
Ранг: Форумен бог
Регистриран на: Чет Юни 25, 2009 1:01 pm Мнения: 2251
|
 Re: Гейтово съпротивление vs мас ток на IGBT
Разстоянията м/у драйвера и пина през резистора е общо 2см макс. То по-малко не може... Кондензатори има бол - групи 100n + 100u! Снубер в изхода нз дали ще помогне понеже имаш двигател за товар и това нз дали може да се подтисне.
_________________www.elkran.com
|
| Вто Сеп 30, 2014 7:05 pm |
|
 |
|
sparkybg
Ранг: Форумен бог
Регистриран на: Вто Авг 23, 2005 12:02 pm Мнения: 3070 Местоположение: София
|
 Re: Гейтово съпротивление vs мас ток на IGBT
Еми премери кво става по гейтовете.
|
| Вто Сеп 30, 2014 7:44 pm |
|
|
Кой е на линия |
Потребители разглеждащи този форум: 0 регистрирани и 9 госта |
|
Вие не можете да пускате нови теми Вие не можете да отговаряте на теми Вие не можете да променяте собственото си мнение Вие не можете да изтривате собствените си мнения Вие не можете да прикачвате файл
|
|