Както е омазано, да питам (@Dimitar) - не става ли да ползвате MOSFET-и като заместители?
Поне за ценерите, не виждам проблем да забиете едно такова добиче:
http://www.mouser.com/ds/2/200/irf7749l1pbf-246725.pdf
с един ценер в гейта?
Тоя конкретно е 175 градуса, има и на 200, ама тоя беше идеален за демо - 1.1мОм говори за нещо като 0.22V дроп на 200А ... Спечелих ли те
За изправителя, предполагам стандартен трифазен, трябва да се помисли - не знам дали има лесен начин (пасивни елементи около мосфет-а) да стане. Иначе ще е трудно, но то ако си поръчвате специални диоди, сигурно можете и специално "управление" да си поръчате - контролер за синхронно изправяне?

Диамантени.

графен...

Това за графена ми го взе от устата! От няколко години следя темите за тези нанотехнологии и все чакам да изкарат на пазара транзистори с графен, ама засега само по памети и процесори ги слагат...

Гичо, явно доста хора не разбрахте за ценерите. Тях не ги ползваме като ценери през цялото време, а като обикновени диоди в долната част на изправителя. Работят като ценери само за да клампват напрежението на фазите, когато при лоад дъмп то скочи за кратко над 50 волта. Иначе сме пробвали целия изправител да го направим управляем с мосфети, но не се печели кой знае какво, а за сметка на това става доста скъпо. Обикновено такива изправители ползват в някои приложения основно при луксозните коли, за да истискат още малко алтернатора при ниски скорости на въртене и където нямат място да сложат по-голям алтернатор.
Тоя графен не е ли много скъп, отделно правят ли го въобще на плочи, дето да са 3-4мм дебели?

Ясно. Бакалийската сметка показва един 50-100 спестени вата ако изправителя е с мосфет, иначе е сложно наистина. Но може да е "алтернатива" на графена.
Не знам как точно е организирана системата в приуса, ама знам че имат boost конвертор. Гледах някакви идеи че с индуктивността на намотките и мосфет-ите може да се спретне buck-boost конвертор...

за графена мисля, че ще почакате... все още го мътят по университетите, виж GaN и SIC може и да стане.

ако искате да четете, слушате и гледате повече за графена, ето тук безплатен цял курс
https://www.edx.org/course/introduction ... sx-chm001x

Ако трябва да се смени медна плоча с 3-4 мм дебелина с друг материал, за да се постигне по-добра топлопроводимост, аз лично се съмнявам, че има голям потенциал за подобрение. Ако обаче става дума за изолационен материал, тогава най-добре е да се заложи на класиката - Берилиев Окис - доскоро масово се ползваше в RF транзисторите. Напоследък го избягват, защото е токсичен, но за шапкарите мисля че ще това едва ли ще е проблем.
Аз, също както посъветва Груби , бих се насочил към SiC заради много по-високата работна температура , но не знам дали с него може да се реализира толкова малък пад в права посока при 200А.

Проучвали сме и SiC но те са за високи напрежения и малки тоци, докато при нас е обратното - малки напрежения и високи тоци и като сметнеш, че пада им е почти двоен няма голяма идея от цялата гимнастика. Иначе и шапкарите вече са луди на тема токсичност и RoHS, така че и това не става. Плюс това берилиевия окис е изолатор а на нас основата ни трябва да е проводима, щото я ползваме за масата. Отделно май е и крехък и ще има проблем с вибрацийте. Медта си е ОК и май просто ще трябва да почнем да ги правим по-големи, за да има повече площ за топлоотдаване към радиатора.

Ами увеличавайки размера е най-лесно, но ако има как да топлопредаваш и през анода и през катода, това може да ти намали общото топлинно съпротивление и от там температурата на кристала, т.е. да е като сандвич.

Няма смисъл, загубите са основно в областта на катода

Да те загубите са там, но все така може би може да се отвежда и през кристала и катода, то съпротивлението на кристала не е малко, но и не е много дебел .. знам ли, то не е зор да се сметне какво може да се докара и дали си струва.

Или по-простото - да намалиш загубите. Не виждам голям проблем да се подменят само долните 3 с N-Mosfet-и и малко управление? Полу-синхронно изправяне и ограничава на напрежението. Вярно, разсейваната мощност ще падне "само" с 35-40% (вместо с 3-4 пъти ако всичкото е як мосфет), но това е еквивалент да се увеличи плочата с толкова.
Горните са по-проблемни, или P-mosfet, или charge pump за клатенето, и драйвери.
Иначе SiC и ние го заглеждаме, ама това за прибори над 1200V-1500V. Нямам и идея как е на ниските напрежения.

Абе по спомени SiC диодите имаха по-малък заряд и при "твърдо" изключване генерираха по-малко осцилации.Не мога да намеря измерванията обаче.