мосфет транзисторите с вграден диод когато са запушени се държат като ценер в прехода сорс дрейн
много схеми съм виждал да ползват това ограничаване на напрежението, аз лично съм ограничавал доста голям ток без последствия, но сега ми трябват някакви конкретни данни, като импулсен и постоянен ток
пишат за диода в права посока, пишат и за ограничаване на напрежението в обратна на диода посока на еди колко си волта при 250микро ампера, това ли е максималния ток?
никъде нищо повече не пишат или аз не виждам или не трябва да се разчита на това?

Със сигурност не е. Преди 20-ина години едно от първите високи до 5 kV го бях направил
с IRF540. После един гявол с подобренията вдигнал броя намотки в първичната и от някакво
напрежение нагоре (май около 3 kV на изхода беше) транзисторът почваше да пробива.
Нещото - беше изцяло залято, транзистор, бобина и гигаом за обратна връзка - печеше
яко, ама много яко.
Открих каква са я свършили години след като не работех вече там, може и до ден днешен
да са им така високите.
Във всеки случай ставаше дума за поне един-два вата опечени от тия пробиви през транзистора
(или диода му), пробиваше при малко над 100 волта, коефициента на запълване не го помня
но май беше 50 и нагоре %, то това печене отнякъде все трябваше да дойде.

Тези, дето носят на пробив, ги пишат avalanche rated и имат нормирани avalanche energy и avalanche current.
Ако не виждаш такива неща в дейташийта, по-добре не го пробивай, не е правен за това.

да... кьорав съм
пише си го и то за доста транзистори, просто не съм знаел до сега че това е точно този параметър
мерси много за инфото вече ще знам

иначе и аз съм пекал много транзистори, имат си праг под който работи без ядове
irf540 е за 100V пробива при малко над 100, за него нямам спомени но ирф740 без радиатор обира обратния импулс от бобина, тока не го знам като стойност но е 50 микросекунди около 400херца, транзистора си затопля леко това са 1-2 вата разсеяна мощност при малко над 400 волта, до сега не е изгарял