Микроконтролери и електроника :: Виж темата - MOSFET/JFET - Rdson при много малки дрейнови токове?

Да, така е, и двете забележки са много резонни. Реално в новия вариант меря диференциално върху резистора и затова не ми пречи пада долу. И да, другото рамо в което има запушен мосфет ще смуче от общия ток и може да измени измерването. Единствено мога да се надявам двата мосфет да имат близки характеристики и да не доведат до разлика. За мен е важна не абсолютната стойност а разликата в двете посоки. Май ще трябва да приложа отдавна забравената техника на подбор на двойки транзистори :-)

Или да видя една двойка в общ корпус, макар че не знам това дали ми помага да са еднакви.
Edit: може би такова:
http://store.comet.bg/Catalogue/Product/18295/

Автор:	gicho [ Нед Авг 23, 2015 11:37 pm ]
Заглавие:	MOSFET/JFET - Rdson при много малки дрейнови токове?
Въпросът е за Low side ключ, който трябва да замасява една точка в схемата. Досега това е правено с реле (пак около 30-50мОма по спефицикация). Сега ми се иска да го сменя на полупроводник, за да ускоря превключването. Токът е малък понеже това реално е измервателна верига и тока идва от стабилен генератор на ток 0.5мА. Мери се датчик със съпротивление 400-1000 Ома, като целта е внесената грешка от ключа да е много под 0.1%. Постановката е малко особена - мери се тока в двете посоки и се търси ориентировката на сензора, като полезния сигнал (разликата в съпротивлението в двете посоки) е около 0.5%. Меренето има за целта да определи дали е правилно ориентиран сензорът. Затова досега е мерено през реле което "завърта" сензора в измервателната верига и така се мери. Релето е проблемно заради времето му за обръщане и забавянето на целия тест заради това. Сега искам да сложа ADC със вграден генератор на ток за измерване, и тоя генератор мога да го подавам към двата входа на адц-то, т.е. към двата края на сензора, и ми остава да замася стабилно противоположния край. Не намирам по характеристиките на приборите какво да очаквам като Rdson при малки токове, например 1мА. Мога ли да разчитам на същите стойности, които са описани за номиналните им токове? Ако за пример вземем нещо от комет, да кажем AP2306GN: http://store.comet.bg/download-file.php?id=6911 Виждаме че при "VGS=4.5V, ID=5.3A" има RdsOn = 0.035Ома. Ако сменя условията нa: VGS=4.5V, ID=0.0005A, т.е. 500мкА, дали е сигурно че ще имам пак тия 35мОма, или поне близо до това?

Автор:	4040 [ Нед Авг 23, 2015 11:56 pm ]
Заглавие:	Re: MOSFET/JFET - Rdson при много малки дрейнови токове?
RdsOn зависи само от Ug. Даже при малки токове, може да се ползва като управляемо съпротивление, чрез промяна на Ug. Всъщност Uds трябва да е малко, за да се държи като чисто съпротивление.

Автор:	ToHu [ Пон Авг 24, 2015 12:05 am ]
Заглавие:	Re: MOSFET/JFET - Rdson при много малки дрейнови токове?
Ами ако погледнеш фиг.2 изглежда от 0 до към 15 А да имаш линейна характеристика V d/s като функция на id. И от модела при малки сигнали да изходиш пак идва нещо такова, съпротивлението ти ще е около тази стойност.

Автор:	ToHu [ Пон Авг 24, 2015 12:07 am ]
Заглавие:	Re: MOSFET/JFET - Rdson при много малки дрейнови токове?
Всъщност аз не схванах идеята е да го въртиш през мост от транзистори или що, само не забравяй и диода, това все пк не е реле.

Автор:	gicho [ Пон Авг 24, 2015 2:21 am ]
Заглавие:	Re: MOSFET/JFET - Rdson при много малки дрейнови токове?
Не, няма мост, ADC-то може да включва вътрешен програмируем генератор на ток на всеки от входовете си. Като пусна тока на входа А, той минава през сензора и отива на вход Б, а аз на вход Б имам мосфет който дърпа към маса. Така минава тока и ацп-то мери между А и Б, т.е. падът върху сензора. За обратното мерене преконфигурирам ADC-то да пусне ток на вход Б и включвам другия мосфет дето е на вход А, при което меря между Б и А. Може да се опише като пълен мост в изхода на който е сензора, горните рамена от двете страни са генератори на ток 0.5мА, а долните рамена са два мосфет-а. Едит: забравих да благодаря за помощта!

Микроконтролери и електроника http://mcu-bg.com/mcu_site/

MOSFET/JFET - Rdson при много малки дрейнови токове? http://mcu-bg.com/mcu_site/viewtopic.php?f=4&t=13996	Страница 1 от 2

Автор:	emilvtc [ Пон Авг 24, 2015 9:31 am ]
Заглавие:	Re: MOSFET/JFET - Rdson при много малки дрейнови токове?
Щом имаш генератори на ток, се очаква измерването да ти става при константен ток. В този случай можеш да "измериш" дропа върху отпушения транзистор (авто-офсет компенсация) и да го отчетеш в крайното измерване. Т.е. теоретично можеш да използваш всякакви транзистори. По-скоро проблема ще е, че транзистора не е идеален ключ и в запушено състояние има утечка дрейн-сорс. Т.е. тази утечка внася грешка в измерването и трябва да видиш до колко ще те бърка.

Автор:	gicho [ Пон Авг 24, 2015 9:42 am ]
Заглавие:	Re: MOSFET/JFET - Rdson при много малки дрейнови токове?
Да, така е, и двете забележки са много резонни. Реално в новия вариант меря диференциално върху резистора и затова не ми пречи пада долу. И да, другото рамо в което има запушен мосфет ще смуче от общия ток и може да измени измерването. Единствено мога да се надявам двата мосфет да имат близки характеристики и да не доведат до разлика. За мен е важна не абсолютната стойност а разликата в двете посоки. Май ще трябва да приложа отдавна забравената техника на подбор на двойки транзистори Или да видя една двойка в общ корпус, макар че не знам това дали ми помага да са еднакви. Edit: може би такова: http://store.comet.bg/Catalogue/Product/18295/

Автор:	ДедоБоре [ Пон Авг 24, 2015 9:43 am ]
Заглавие:	Re: MOSFET/JFET - Rdson при много малки дрейнови токове?
Rds(on) се влия значително от температурата. или поне значително повече от реле.

Автор:	gicho [ Пон Авг 24, 2015 9:49 am ]
Заглавие:	Re: MOSFET/JFET - Rdson при много малки дрейнови токове?
Да, реално не ми пречи, той и drain source leakage-а се влияе много. Затова май този зетекс е по-удачен: http://store.comet.bg/download-file.php?id=4358 че му дават 1мкА макс на 25 градуса.

Автор:	gicho [ Пон Авг 24, 2015 10:50 am ]
Заглавие:	Re: MOSFET/JFET - Rdson при много малки дрейнови токове?
Въпросът е двата транзистора (единият е за едната посока, другият е за другата, работят алтернативно) да имат близки утечки. Т.е. ако са в един корпус (оня зетекс) температурно ще са на един хал. Абсолютната стойност на утечката не ме интересува, стига да се изменя еднакво и за двата транзистора. Бях споменал че гоня грешки (разлики) под 0.1%, така че целта е двата транзистора да имат еднакви утечки +/-1мкА. Меренето в двете посоки се прави бързо, общо процеса трябва да е под 20-тина мс. Целта е разни температурни дрейфове да не доведат до разлика в двете посоки. Това което накрая анализирам е дали съпротивлението в едната посока е поне 0.5% по-голямо от това в другата. С известни запаса и толеранси казвам 0.1% грешка че гоня. Едит: не е голям проблем да му давам примерно -5V, ако се наложи ще го добавя.

Автор:	emilvtc [ Пон Авг 24, 2015 12:03 pm ]
Заглавие:	Re: MOSFET/JFET - Rdson при много малки дрейнови токове?
Трика с отрицателното гейтово напрежение работи ли наистина и какво му е обяснението? Някой може ли да даде малко инфо по въпроса? А обратния ток на паразитния диод дрейн-сорс какво ще го правим?

Автор:	sparkybg [ Пон Авг 24, 2015 12:40 pm ]
Заглавие:	Re: MOSFET/JFET - Rdson при много малки дрейнови токове?
То има толкова видове MOSFET-и вече, че нищо не е сигурно. Опитвам се да намеря конкретния документ, ама нещо не ми се получава. Ако успея ще го кача. Отрицателното гейтово понижава топлинния и радиационния ефект върху утечката на канала, до колкото помня. За диода нищо не можем да направим, освен да отхвърлим от кандидатите тия с вграден Шотки диод. Другото, дето може би помага е да ползваме по-високоволтови MOSFET-и - утечката в диода зависи и от обратното напрежение, освен от температурата.

Автор:	gicho [ Пон Авг 24, 2015 1:09 pm ]
Заглавие:	Re: MOSFET/JFET - Rdson при много малки дрейнови токове?
Ще се изследва. Устройството е по-скоро лабораторно и не очаквам повече от 40 градуса вътре в кутията. А както вече казах не ме вълнува абсолютната стойност на утечката, а разликите между утечките на двата транзистора. Не знам тия готовите двойки дали въобще са на един кристал, или са два кристала в общ корпус. Ако е първото съм спокоен че както температурата, така и технологично са близки. Пък дори да са отделни корпуси ще са на 2мм един от друг на платката, може и да се залеят да са тотално в общ термичен блок. То и с релетата не е много цветущо - в двете посоки работят различни контакти вътре в релето и може да дойде несиметрия. Отделно механични ефекти и тем подобни. Всъщност повечето low power са макс 1мкА при 25 градуса, irlml не блести с нещо в тази посока. И там има нещо неясно - напрежението дрейн-сорс в този режим ще е 0.6-1.5V, не знам това как се отнася към специфицираните 1мкА @ 60V примерно? Ако по-ниското напрежение помага за спадане на тока (логично ) мога да меря и с 0.5мА, 0.2мА, че и по-малко. Спада ми полезния сигнал но може пак да е по-добре. И това ще се измери. Има и варианта утечката да се измерва - имам около 600ома шунт (сензорът), който вече съм премерил що годе точно, при 1мкА трябва да ми дойдат 0.6mV който трябва да мога да хвана приемливо точно. А попадали ли сте на добри измервателни "щипки", не е нужно да са четирижични? Въпросът е да са удобни за ползване - работникът трябва да може да защипва две жички по 0.25..0.5мм2 бързо и удобно? Едит: гледам китайците имат разни kelvin сонди, ама така отдалеко не знам на какви ще попадна?

Страница 1 от 2	Часовете са според зоната UTC + 2 часа [ DST ]
Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group http://www.phpbb.com/