Въпроса е интересен. Бих казал - ще оцелее.... но не бих го заложил като концепция. Тури си 60V транзистор да ти е мирна главата.
| Микроконтролери и електроника http://mcu-bg.com/mcu_site/ |
|
| Обратим ли беше пробива на mosfet при превишаване на Vdsmax? http://mcu-bg.com/mcu_site/viewtopic.php?f=4&t=10378 |
Страница 1 от 2 |
| Автор: | gicho [ Чет Авг 09, 2012 8:03 am ] |
| Заглавие: | Обратим ли беше пробива на mosfet при превишаване на Vdsmax? |
При условие, че е ограничен тока (наличие на активен товар в дрейна, low side ключ конфигурация) и няма условия за термично претоварване, ще ли има необратими последици за един мосфет ако захранването на цялата схема се увеличи над Vdsmax на транзистора? Пример - low side ключ, активен товар в дрейна 10ома, захранване 12V, транзистор с Vds max 40V. Случва се load dump например в кола, и захранването за няколко ms се качва на 60V. Транзисторът ще пробие, но след спадане на захранването под 40V, ще се запуши ли? Май ще е добре да си има един резистор гейт-сорс да отвежда дошлото от дрейна, че да не се вдигне Vgs над Vgsmax? Дали е по-добър варианта да се направи мосфет-а самозащитаващ се с един ценер дрейн-гейт с пробивно да кажем 40V, че да го отпуши принудително в тази ситуация? (с подобаващите мерки да се ограничи максималното гейт-сорс в тази ситуация естествено). Edit: ориентирах се, доколкото разбирам няма никакъв проблем, стига да подбера : - "Fully Avalanche Rated" и/или: - "Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax" Май второто ще да е по-добре? А де... |
|
| Автор: | Цецо [ Чет Авг 09, 2012 8:39 am ] |
| Заглавие: | Re: Обратим ли беше пробива на mosfet при превишаване на Vds |
Въпроса е интересен. Бих казал - ще оцелее.... но не бих го заложил като концепция. Тури си 60V транзистор да ти е мирна главата.
|
|
| Автор: | Н'бабане Гт'муан'га [ Чет Авг 09, 2012 8:59 am ] |
| Заглавие: | Re: Обратим ли беше пробива на mosfet при превишаване на Vds |
А параметърът време защо го пренебрегваш? |
|
| Автор: | dan [ Чет Авг 09, 2012 9:06 am ] |
| Заглавие: | Re: Обратим ли беше пробива на mosfet при превишаване на Vds |
По принцип трябва да оживее, но стига да не пробие диелектрика между кристала и сорса. |
|
| Автор: | gicho [ Чет Авг 09, 2012 9:52 am ] |
| Заглавие: | Re: Обратим ли беше пробива на mosfet при превишаване на Vds |
Говорим за инцидентна ситуация, не за работен режим, така че трябва да проверя дали енергията при пробива ще е под специфицираната. Попаднах на app note от IRF (  ) - това (avalanche) дори е работен режим в някой условия (ignition coil drive).В моя режим става въпрос за автомобилно приложение и дали 40V е подходящ за ключ за активен товар (т.е. тока е лимитиран от товара, прибора си е на радиатор, а времето е няколко ms. |
|
| Автор: | emilvtc [ Чет Авг 09, 2012 10:34 am ] |
| Заглавие: | Re: Обратим ли беше пробива на mosfet при превишаване на Vds |
Ако ще трябва да покриваш стандарти - няма да стане. По стандарт има дефинирани пикови стойности при повтарящи се и при не повтарящи се импулси с "+" и "-" поляритет, като тези с "+" поляритет стигаха и до 200V при автомобили с 24V инсталация ... Ако няма да минаваш стандарти - възползвай се от съвета на Цецо или както самия ти предлагаш - ценер дрейн-гейт + ограничаване на напрежението гейт-сорс под пробивното гейтово напрежение. Друг вариант е използване на транзил, кондензатор и подходяща индуктивност в захранващата верига... |
|
| Автор: | stoyanoff [ Чет Авг 09, 2012 11:14 am ] |
| Заглавие: | Re: Обратим ли беше пробива на mosfet при превишаване на Vds |
За MOSFET транзистор няколко ms са си много време. По принцип ако пиковете са кратки(много кратки) - няма проблеми. Ако загледаш добре пдф-то, ще видиш, че за кратки периоди може да провежда дори много по-големи токове от номиналните, дори може да издържи на късо няколко us. НО ако продължителността на пика от напрежение над номиналната е много дълъг - ще се пробие! Необратимо е! Обикновено повечето разработчици задават транзистори с номинални параметри 2-3 пъти по-големи от тези, при които ще работи транзистора. В твоя случай едни 200В ще са идеални. Не струват милиони. На ниско напрежение са по 1-2 лв. Поздрави! |
|
| Автор: | gicho [ Чет Авг 09, 2012 11:16 am ] |
| Заглавие: | Re: Обратим ли беше пробива на mosfet при превишаване на Vds |
Принципно, ако тръгна така ще трябва да сложа 200V да ми е мирна главата - понеже за 12V система има краткотрайни тестове и на 120V (т.е. би трябвало да си вържа гащите за 120V). Ама там Rdson е друг порядък и се нанизвам на други проблеми. Текущият въпрос е дали е необходимо? Защитените интегрирани ключове са с кламп на 42V, и стават и за 24V бордова мрежа. Защо да слагам ценери, ако мосфет-а си изпълнява тази роля без допълнителна помощ? Ценерът ще направи същото - ще отпуши транзистора, което се случва и при avalanche пробива. Ако слагам трансил, то той ще пробива и той ще поема енергията. А тя (енергията) не е голяма заради лимитиращия активен товар. Според IRF, avalanche rated приборите не се боят от такива пробиви, и дори понякога работят в този режим. Пробива (avalanche voltage) го дават да е на 30% над Vdsmax (т.е. 40V прибор ще пуска на 52V, 55 волтов на 71.5V). Избрал съм прибор дето го водят "Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax" - т.е. нищо му няма при такива пробиви, стига кристала да не загрее над Tjmax (175 градуса). 40V e, 0.0065ома. 200волта приборите ще са 10-20 пъти по нагоре. Страничните проблем с трансил-и от сорта на място, охлаждане, надеждност, толеранс на напрежението на пробива също не искам да ги мисля - особено ако няма реален аргумент срещу ползването на транзистора като кламп. Между другото, как решавате проблем с драйверите за мосфет в автомобилни приложения? Ако драйвера е закачен на 12V линия, трябва някой да го пази от същите тия пикове? С нормални (не лоджик-левел) mosfet-и трябва да се клатят на 10V. Слага се нещо да дава примерно 8-10V (стабилизатор, ограничител) и оттам се храни драйвера? Аз съм се насочил засега към logic level прибори (automotive специфицирани), но смятам да сложа и гейт драйвер (microchip-ските работят и на 5V), и микроконтролера и драйверите да са на стабилизираното 5V. Някой да се сеща за по-лесен начин за усилване на тока от пин-а на контролера (комплементарна двойка транзисторчета, драйвери за нещо друго?). Голям ток не ми трябва, честотата на превключване ще се държи по 1КХз със сигурност. Вариант е паралелни пинове на контролера, но тогава ми трябва софтуерен PWM. |
|
| Автор: | emilvtc [ Чет Авг 09, 2012 11:36 am ] |
| Заглавие: | Re: Обратим ли беше пробива на mosfet при превишаване на Vds |
Имай в предвид, че в автомобил с 12V бордова мрежа е допустимо пропадане на напрежението и под 9V (поради голямата консумация на стартера при палене). Относно драрйверите на транзисторите - много зависи какво ще превключват тези транзистори ... Общи съвети предполагам няма да ти свършат работа ... Аз бих заложил на защита от въпросните напреженови пикове с транзил още на входа на захранването на електронния блок. |
|
| Автор: | stoyanoff [ Чет Авг 09, 2012 11:51 am ] |
| Заглавие: | Re: Обратим ли беше пробива на mosfet при превишаване на Vds |
Нещо си в грешка - MOSFET-а не е ценер. Пробие ли се край. А това, че може да издържи по-високи стойности от номиналните е друга работа. Защо не сложиш един стабилизатор на входа??? Като гледам не става въпрос за някакви колосални токове?! |
|
| Автор: | Н'бабане Гт'муан'га [ Чет Авг 09, 2012 11:52 am ] |
| Заглавие: | Re: Обратим ли беше пробива на mosfet при превишаване на Vds |
За автомобилки приложения, дори нещата дето ги храниш директно от 12-те волта, трябва да са ти минали през филтър на захранването. Както сам си го казал, има доста пикове и шум дето пъплят. Има едни неща, варистори им викат. Много са полезни 
|
|
| Автор: | tgi [ Чет Авг 09, 2012 1:26 pm ] |
| Заглавие: | Re: Обратим ли беше пробива на mosfet при превишаване на Vds |
За някои със сигурност е обратим и отнася бая мощност. Преди 20+ години бях сложил IRF540 в едно високо за тогавашния ми работодател. После един умник подобрил бобината с двойно по-голяма първична.... Години по-късно разбрах що така яко печеше това нещо над половин мощност
|
|
| Автор: | gicho [ Чет Авг 09, 2012 1:55 pm ] | ||||||||||||||||||
| Заглавие: | Re: Обратим ли беше пробива на mosfet при превишаване на Vds | ||||||||||||||||||
Сигурен ли си в това? Помисли пак. И аз имах притеснения, че може да е така (затова пуснах темата), но след малко четене съм на противоположното мнение ... Краят идва само ако температурата на прехода вдигне над максимума (за avalanche rated мосфет-тите). А тя се вдига от ток, който липсва в моята ситуация.
Чакай сега, къде съм казвал колко ток се превключва? Не съм, но ще кажа - около 10-15 ампера. Не мисля и да опитвам да го стабилизирам или защитавам. Енергията на пиковете в захранващата мрежа на автомобила не са по силите на трансил. Захранването на микроконтролера и мосфет драйверите ще са изрично защитени с трансил и после стабилизирани с чип, правен да пази от load dump в automotive електроника. Към emilvtc - да, пропадането е проблем, но не и в случая - системата не работи по време на стартиране на двигателя (по-точно софтуерно дори се забранява по това време). Иначе, генерално, ако ще се борим да работи и в тези условия, стабилизиране на 5V и logic level фет-ове е добро решение. 200V прибори не са решение, опитах се да обясня защо, пак ли да повтарям? Има и 3000V транзистори, да взема да ги сложа тях тогава? Прекомерното презапасяване носи след себе си проблеми - за да се навия да ги боря, трябва да има реален аргумент. А такъв все още няма! Специфицираните транзистори (а те на IRF например повечето са такива, някой дори изрично указани - по-горе съм писал) нямат проблем с този режим. Да, държат се като ценери (пробиват), но пробива е обратим и няма последици за транзистора (стига да не се премине Tjmax от 175 градуса). |
|||||||||||||||||||
| Автор: | Цецо [ Чет Авг 09, 2012 2:05 pm ] |
| Заглавие: | Re: Обратим ли беше пробива на mosfet при превишаване на Vds |
Е добре де, що ни се караш сега? Наясно си достатъчно с материята, подготвил си се теоретично и си решил вече, що въобще питаш, действай
|
|
| Автор: | stoyanoff [ Чет Авг 09, 2012 2:53 pm ] |
| Заглавие: | Re: Обратим ли беше пробива на mosfet при превишаване на Vds |
Гичо, ти филтър на силовата верига сложил ли си?? |
|
| Страница 1 от 2 | Часовете са според зоната UTC + 2 часа [ DST ] |
| Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group http://www.phpbb.com/ |
|
