
Re: Търся малък P MOSFET с много ниско напрежение на отпушва
Здравей,
MOSFET транзисторите, каквито и да са не са подходящи за управление с ниско напрежение. Най добре е да се направи със специализиран BISS транзистор. Това
са транзистори с много ниско Vce sat.
PBSS5520X
VCEO collector-emitter voltage −20V
IC collector current (DC) − 5A
ICM peak collector current −10A
RCEsat equivalent on-resistance 54mΩ
FMMT717
• BVCEO > -12V
• IC = -2.5A Continuous Collector Current
• ICM = -10A Peak Pulse Current
• Low Saturation Voltage E.g. -17mV Max @ IC = -100mA.
• RCE(sat) = 72mΩ at 2.5A for a low equivalent on-resistance
• 625mW power dissipation
FCX717
* 2W POWER DISSIPATION
* 10A Peak Pulse Current
* Excellent HFE Characteristics up to 10 Amps
* Extremely Low Saturation Voltage E.g. 12mv Typ.
* Extremely Low Equivalent On-resistance RCE(sat) 77mΩ at 3A
Успех!!!