всичко хубаво ама и аз все още се питам питанката на автора: какво е предимството на тоя модул щом отделни транзистори са доста по евтини

1. Опростяване на монтажа
2. Почти равни температури на кристалите на отделните транзистори
3. Намалени паразитни индуктивности между изводите на отделните транзистори
4. В някои случаи по-просто опроводяване
5. В някои случаи по-просто управляване (лично аз не съм задълбавал около проблемите, когато горния транзистор ти е P-channel)

Сигурно има и други, но не се сещам.

Аз ги виждам като: пестят място, лесно асемблиране ( пуснали сме директно към тях дебели медни шини ), малки загуби в свързващите проводници ( при 300А всеки милиом е от значение ), малки паразитни капацитети и индуктивности ( съответно RLC подтискащи вериги с по-малки кондензатори/резистори/индуктивности ), гарантирано почти еднакви работни условия за съответните транзистори от рамената, което ще рече че няма изненади от към dead-time.

Недостатък е може би цената, но пък не съм гледал например 6 бр. дискретни MOSFET-a 100V / 300A какви пари ще дойдат, ако някой има данни може да ги сподели. Най-вероятно при количества разликата в цената става пренебрежимо малка. При нас беше важно да използваме на готово чужд опит ( Тойота Приус ) и да не губим време да разучаваме на коя фирма транзисторите стават и на коя не.

от моя скромен опит, веднъж избистрени проблемите(най много от които са опроводяването), тоя модул ако няма вградени драйвери никакво предимство не ми дава, ако реша да позлвам нещо готово бих дал повече пари ако има 3 или 6 ТТЛ входа, подаваш му импулси и то си работи, но ако няма вградени драйвери много проблеми остават, и въпреки на вид че е модул, то пак си остава шепа транзистори, които пак си искат знанията за да заработят качествено

за пример - модул: solid state relay - това го признавам за модул

а мосфетите отдава им паднаха цените, даже вече и IGBT почнаха да поевтиняват, има и IGBT с температурен коефициент като мосфет, връзваш си ги в паралел колкото искаш, е, и това има тънкости но веднъж установено работи

То на едно такова решение, 70% от работата е драйверите и управлението. Останалите 30% е събиране с лопата на труповете

IGBT последно купувах 1200 волтови по няколко евро бройка и то от Фарнел. Някаква последна мода hexa нещо си технология. Обаче ми правеха ядове, товара ми е намотка на повишаващ трансофрматор и в изхода му се наблюдаваха някакви много странни неща. Пощих, струвах, сложих си IGBT дето не са по тая нова технология - заспа. Реших, че е нещо свързано с вградените диоди, ама така и нямах нерви да го разнищя проблема, та сега си имам цяла една пръчка пълна с такива IGBT да се чеша по нея с главата.

Та мисълта ми е, че цените им сега са смешно ниски. Преди 10 години като за първи път почнахме да убиваме IGBT-та, едно струваше по 40 евро бройката

То и сега има 4000 волта дискретен IGBT на IXYS, само те го правят и цена на дребно няма, ама ние го взимахме по над 100 евра парчето в първите произведени серии. Бяха ни оферирали по 25 евра за количество над 1000 бр. Ама това са извращенията на пазара.

Точно затова са такива модули, да не бистриш проблеми. А ако цената на едно изделие е порядъка на $5к и в него имаш един такъв транзисторен модул, при големи количества цената се избива от труда на инсталирането на 6 отделни транзистора и от цената на двойно по-големите радиатори ( виж по надолу сметките за загубите ). Затова за всеки влак си има пътници.

Можеше да имат и вградени драйвери, но сигурно щяха да са с двойни цени. След 5-10г. могат да станат като SSR, връзваш и тръгва. Ние не загубихме много време в драйверите, може би 3-4 месеца

Погледнах отново цената на модула дето използваме, $435 единична бройка, $395 при количества над $25 Направих набързо справка в Mouser за дискретни MOSFET-и 100V / 300A rms, просто няма. В Digikey се намериха по няколко $, TO-247 корпус, с 4-ри пъти по-голямо съпротивление Rds, пишат 350А, и след като отвориш чаршафите със спецификациите "се доуточняват" че е Lead Current Limit 160А. Ако изходим от Rds, примерно 3.5mOhms в дискретното изпълнение и 0.8mOhms в един корпус, ток 300A, DC=50%, излиза че загубите върху единичен MOSFET са 0.0035 x 300 x 300 = 157.5W, докато в единия транзистор на 6 в един корпус са 0.0008 x 300 x 300 = 72W, т.е. точно наполовина. Да не го говорим, че при тези тоци не е много ясно на какви платки ще го запояваш без да се стопи платката. За едно друго устройство, при 100А платката ни загряваше до +100°C само след 1 час работа, затова отдвете страни наслагахме медни шини дебели по 2мм, които смъкнаха загубите и температура спадна до 75°. Т.е. докато "се избистрят" проблемите може да минат и 2г., ако клиентите са склонни да чакат супер, ако ли не губим поръчката ...

уж не бистриш проблеми, само 3 месеца

като каза че входния капацитет е 100нф веднага се осъмних че са единични транзистори, по скоро всеки е от по няколко в паралел
а сега като казваш и съпротивлението вече съм сигурен
ето нещо интересно което преди години му гледах само брошурите, сега цената си заслужава, можеш да си ги лепкаш колкото искаш един до друг
http://uk.rs-online.com/web/p/mosfet-tr ... s/7165390/

иначе според зависи, при тези цени може да си струва и модули да почнеш да правиш

едит: сега се сетих че говориш за модул на автомобил, те там цените са им такива - някакаъв си сензор - терморезистор залят в бронзов болт - 100 евро...

Ако си с дискретни елементи пак ще отиде толкова за гейт драйверите.

Дали са по няколко в паралел не мога да кажа, като ги отворихме през желето се виждаше един голям кристал и от него дебели жици, може би по-дебели от 1.2мм, които отиваха на терминалите. Ами дискретните, които гледах до преди малко в digikey имаха по 45nF-60nF входен капацитет, срещу 112nF на модула. Може и дискретните да са по няколко в паралел


От може да си струва до мога да го направя има голямо разстояние и като познания, и като парички

предизвикателство си е
ти смяташ разсевана мощност от изходния ток, ама при 100нф гейт .... и там се заформя сериозен ток.... при 20кхз примерно...

Гарантирана изолация за Х kV между транзисторите и охлаждащата повърхност.
Голямо разстояние между изводите и радиатора.
За повече и аз не се сещам.

вие пак го подкарахте за MOS транзисторите... наистина, транзисторите за големи тоци са по няколко хиляди (последно гледах 1200) транзистора в паралел. но това си е друга бира.

иначе дискусията за управлението на IGBT-та също е интересна. верно е, че гейтовете са със сериозни капацитети, но не са чак 100nF. не би трябвало управлението на IGBT бридж да се различава кой знае колко от управлението на MOS бридж?

за модулите може би обяснението е еднаквост на времената на on/off за всичките 6 транзистора. така, като настройваш динамичните параметри ще го правиш наведнъж за всичките транзистори накуп. иначе би трябвало (ако ползваш дискретни транзистори) да ги мериш в динамичен режим и да ги събираш по шестици. мдаааммм

Има няма 3-5А в началото на периода, след което експоненциално затихва до 0, като го сравня например с 300А е наистина "сериозен" тока

не го сравнявам с 300А за друго говорех ама няма значение

ДедоБоре: ако изключим разни нестандартни решения при мосфет и ИГБТ разликите са малко, но общите проблеми са много, така че е все тая за кой говорим
в общия случай няма нужда да се подбират, читави транзистори имат доста добра повтаряемост в партидата, както мос така и ИГБТ, индуктивността на някаква извивка на пистата дава по големи отклонения от колкото параметрите на самия транзистор

преди известно време питах за приложения на SiC транзистори, диоди и модули. не съм имал удоволствието да убивам MOSFETи, но на Електрониката преди няколко седмици беше пълно със SiC модули и транзистори - Cree, Rohm, Fairchild и т.н. Имаше сравнения между дискретни и модулни изпълнения - SiC овете бяха около 30% по-малки, с по-малки радиатори, индуктивности и т.н. разбира всичко пак опира до цена