Помагам на едно приятелче, захванало е да си прави ТИГ. С DC се е справило, въпроса е за заваряна на алумин с AC. Иска да го направи с променлива честота 40-400Хц и променлив поляритет - коефицент м/у полупериодите от 20-80%.
Изрових това с IGBT, този драйвер IR2110 съм го ползвал за клатена на MOS но съм си нямал вземане даване с
IGBT. Транзисторите са HGTG30N60.
Та някой с повече опит да хвърли едно око да да даде мнение - добре ли е това че нещо ме притеснява тази схема.

Не мога да зацепя, какво правят онези кондензатори на гейтовете. Иначе схемата е стандартна - дали е МОS или IGBT - все тая. Трябва да се сметне дали токът, който може да даде схемата е достатъчен за презареждане на капацитетите на транзисторите за определеното време.
На твое място бих се запасил с една кошница транзистори и няколко пръчки схеми. Лошото е ,че като гърмят - гърми всичко (без едното рамо) и нищо не ти подсказва за причината за фоерверките. На тоя фронт освен схемите и транзисторите е важна и топологията на платката и монтажа.
Практичен съвет - намери начин да първоначално да захранваш схемата от нисковолтов токоизточник с токова защита и добре огледай тогава сигналите с осцилоскоп.
И още нещо - схемите ги слагай на цокли, че от много смяна ще похабиш платката.

Сещам се , макар и бавно...
Съвсем не съм убеден, че IGBT можеш да ги връзваш в паралел без изравняващи резистори. Това са все пак биполярни транзистори в силовата част- резистори трябва да има. По-добре намери транзистор за 200-300А. А първоначалните проби можеш да ги правиш и с по-евтини транзисторчета. В тая схема не си личат елементи за токова и напреженова защита, но предполагам, че ги има.
И въобще, сигурно занеш, че за една бройка е по-изгодно да се купи готов апарат. Ако е за по-серийно производство - става. С малко повече късмет.

виж и тоя проект , опън сорс на едни италианци

И аз не разбирам за кво са тия кондензатори в гейтовете (погледнах главно щото sthx
ги спомена и ми събуди любопитството). Не се сещам за разумна причина да ги има
та по-скоро схемата може да е някаква измама (веднъж един ме помоли да погледна
схема на нещо дето някакъв индиец му го беше правил за малко пари, беше тотално
безмозъчно рисуване, та има и такива). Хич не бях видял дори, че са запаралелени
транзисторите без изравняване, щом и това е така работата е по-скоро измама, помисли малко, нарисувай
си сам схемата и я симулирай с ltspice (за такива работи е много добър) и ще си
свършиш работа по-добре.

И в схемата на kasparov която е с MOS транзистори има по 3 броя директно в паралел.
sthx, работата не е нито за една бройка, нито за серийно производство, по скоро за чешене на крастата

MOS транзисторите от един тип можеш да ги свързваш паралелно. Съпротивлението им е с положителен температурен коефициент и така автоматично се балансират токовете между транзисторите. При биполярните е точно обратното. Затова при паралелно им свързване се налага да се сложат някакви резистори последователно на всеки един транзистор. Силовият транзистор при IGBT е биполярния трзнзистор. По-малко ще боли глава, ако транзисторът е един.

MOSFET-ове да вържеш в паралел е ОК, каналите им са достатъчно резистивни.
Правил съм го (при далеч по-малки токове де, тия са ми извън обхвата). Биполярните
също ще си разпределят тока някак но не по предсказуем начин, т.е. може и
почти да не си го разпределят и да гръмне първо по-натовареният после и другия
и т.н. И най-вече тия мистериозни кондензатори в гейтовете, що за идиотия, прилича
на свободно съчинение (едно време имахме една учителка по математика между
5-ти и 8-и клас, тя на това викаше "к'от му дошло на умъ" ).

Еднотипни MOS транзистори в паралел няма никаква грижа. Имам устройство, дето превключва 1300 ампера с такъв ключ от mos транзистори в паралел. Виж за IGBT си нямам идея, още нищо не съм правил с такива .

Май усещам във въздуха някакво неразбиране...
IGBT е съставен транзистор. Входният е MOS, а вторият е биполярен. Използва предимствата на двата транзистора - високото входно съпротивление на MOS-a и възможността да се реализира транзистор с голям допустим ток и едновременно с това ( и най-вече) голямо пробивно напрежение - на биполярния транзистор.

***1300*** A?! Баси чудото, къде се криеш като го тестваш това бе...
Аз за няколко порядъка по-малко съм се крил под масата .

Тоците, с които работим, дето се вика се виждат .

Нито схемата погледнах, нито изискванията, ама за заваряване на алуминий главно майсторлък се иска (и поне аргон, де). Мене слушайте!
Аз бих си го купил - и най-евтиното с аргон ще е добро колкото самоделката, другото идва от ръката.

Ама как си помисли , че няма да те слушаме? Няма такова нещо! Само дето преди майстора трябва да дойде променливия ток. .
Иначе само с алуминиев електрод става. И аз съм заварявал така , ама не съм се сетил да се нарека майстор.

Бе заварявайте си, ама тук едно колега-пичлеме години опитва и изнасилва майстори докато разрба как става НАИСТИНА.