тази област ми е малко в страни, но се налага понякога да се наджапва в нея. предимно в реставраторски контекст.

основното ми чудене е - какво е предимството на модул от 6 транзистора (примерно) пред 6 отделни транзистора.
подозирам, че в модула има дискретни компоненти, които предварително са подбрани, но не съм разглобявал модул.
от друга страна IXYS имат сдвоен горен и долен (викат му фазово рамо) в един корпус, та може би не съм прав.

Помниш ли оная снимка с мъртивте транзистори? Половината бяха Ixys

Нищо лошо не казвам за фирмата, просто имам понатрупан боен опит (с много жертви) с дискретните им IGBT-тата.

Още един повод за пиене на бира, от теб си зависи!

вън от темата: Цецо, от толкова работа ще се пропиете

Едно от предимствата трансизторите от едно рамо да са в един корпус е близката температура на кристалите. Това е важно при динамична настройка на dead-time-a.

Ами според мен едно от най-сериозните предимства е от чисто механична гледна точка, монтаж и охлаждане стават по-лесно. Недостатък е че умирайки един, хвърляш всички, въпреки че то ииначе умре ли един, най-вероятно ще умре още някой.

добре, да задам въпроса по друг начин.

когато правиш пакет от 6 транзистора, желателно ли е да ги подбереш по някакъв критерии за еднаквост?

Дан, dead-time казваш на това дето е storage time в биполярните ли?

edit.
уффф пиша глупости .... не знам що пиша за IGBT а си мисля за тиристори .. както и да е, няма общо какво бях написал.

п.с. май железата и големите тоци взеха да ми идват в повече

Не баш, но има сходство. При биполярните основното време за изключване зависи от времето за разсейване на неосновните токоносители в базата и си има лесни начини за намаляване, а при полевите зависи в различните случаи от различни неща- дали от вградения диод, дали от самия транзистор. При мосфетите не бива да се пренебрегва dI/dt, което при неразсеяли се токоносители в диода на другия транзистор може да достигне много над обикновено допустимите 100A/us.

И всъщност dead-time наричам времето, което софтуерно се задава, за да бъдат изключени и двата транзистора в рамото, за да не настъпи shoot-through (егати, един куп неща не знам как са на български, shoot-through current на немски се нарича Überlappungsstrom).

Някой да дава уроци по български

Питам защото не съм се задълбавал в IGBT, не знам имат ли неосновни носители
за разсейване.

При биполярните това си беше сериозен ограничаващ фактор на минималното
включено време (някоя и друга микросекунда минимум), с MOSFET-овете не е така въобще
(е, ако драйверът успее да изпомпа гейта но там доста е постижимо).

Сега забелязах, че става дума за igbt, а не за мосфети.

Иначе точно това казах, че при мосфетите ограниченито не е само от към входа, но и от към изхода, т.е. не е достатъчно да смъкнеш достатъчно бързо напрежението на гейта има неуправляеми процеси в канала (всъщност т.нар. вграден диод е паразитна структура в транзистора, даже е биполярен транзистор с окъсени база-емитер), свързани пак с разсейването на токоносителите (тук не знам дали е коректно да се наричат "неосновни", защото каналът така или иначе е непроводим).

тамън започнах да се чудя къде са ми белите петна относно пълненето на канали с дупки

Дедо, за мен тези неща са нещо като ежедневие. За мен параметрите dI/dt и dU/dt някога не значеха нищо, а Qtrr- заряда във вградения диод- някаква досадна подробност в пдф-ите. И така беше до момента, в който из помещението започнаха да хвърчат елементи. После откривателско- експериментаторските ми наклонности се наложи да отстъпят място на читателско-сметателските ми способности

А за тиристорите- при тях (от математическа гледна точка) е почти същото. И те имат ограничен dI/dt и dU/dt, но ограниечението по скорост на нарастване на тока например не е от опасност за загуба на управляващите свойства (както при мосфетите), а от опасност за локално стапяне на един от преходите. С тиристори не съм се занимавал толкова подробно, а и беше преди не малко време.

Още едно предимство на полу-рамената в един корпус- паразитната индуктивност между изводите на транзисторите намалява заради физическата им близост.

Все си мисля, че трябва да се подкарат нещата с дискретни елементи и ако всичко е ОК, тогава модули.

Има много подводни камъни и да дава пари човека на вятъра/дима/пушилката...

Другото е конкретен казус със конкретни параметри.

Е за моите мощности (някой-друг ват, рядко десетки ватове, много рядко над 100 и то не много)
в общия случай във важния момент диодът край мосфета е запушен и зависи само от драйвера
и съпротивлението вътре из гейта времето за затваряне.
Виждам си ги как при почти нулев товар се запушват преди да са се доотпушили, под 100 наносекунди
трябва да е и то може би бая под 100 (поне за тия от някой-друг ват май го помня).
На фона на 2-3 микросекунди с биполярни (за тия малките би било може би 1-2) това е драматично увеличаване
на диапазона на регулиране.

Зависи.

Проблема изплува обикновенно като бързаш за някъде. И когато транзистора не е заземен, налага се да му правиш изолирано управление. Тогава обикновенно идва проблема да ги отпушиш и запушиш едновременно. Или достатъчно бързо, та да е косвено едновременно. Но хем бързо и хем добре изолирано управление е малко нон-сенс...

Яли сме го дебелия в тая посока. Като цяло времето за отпушване лесно се докарва, ама бавно се запушват пущините, ако няма нещо способно да презареди достатъчно авторитетно гейтовия капацитет. Накрая стигнахме до там да направим статистическо изследване на няколко серии транзистори. И се оказа, че ако са от една серия може да се очаква някаква повтаряемост на параметрите, ама ако са от различни серии - не.

Всичко е много относително. Зависи какви са транзисторите (какво напрежение ще щракат, какъв гейтов капацитет имат). Зависи какви времена гониш. Какво управление можеш да им осигуриш. IGBT си пада малко мечкопор, откъм задника е едно, откъм предника друго. Весела история. Като цяло не можеш да очакваш чудеса в бързината. По скоро са мулета - бавно с голям товар.

Разговора е за маса или да дойдеш при мен. Мързи ме да пиша пространствено.